RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
43
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
7.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
27
Velocità di lettura, GB/s
11.4
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1823
3040
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link