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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
44
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
30
读取速度,GB/s
14,740.4
16.0
写入速度,GB/s
8,883.4
11.3
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
2901
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
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Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB RAM的比较
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
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