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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
43
左右 37% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
43
读取速度,GB/s
13.2
14.7
写入速度,GB/s
8.6
8.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2250
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
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