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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
差异
规格
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差异
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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需要考虑的原因
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
41
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
32
读取速度,GB/s
13.9
16.9
写入速度,GB/s
8.5
14.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3571
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
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