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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
差异
规格
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差异
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Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
41
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
31
读取速度,GB/s
13.9
17.9
写入速度,GB/s
8.5
15.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3755
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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