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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
差异
规格
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差异
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
41
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
31
读取速度,GB/s
13.9
17.9
写入速度,GB/s
8.5
15.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3755
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
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