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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
比较
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
总分
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
总分
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
92
左右 -300% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.0
1,266.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
92
23
读取速度,GB/s
2,105.4
14.3
写入速度,GB/s
1,266.1
7.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
339
2103
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
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