RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
92
Autour de -300% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.0
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
23
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
2103
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link