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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
50
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
50
读取速度,GB/s
13.9
17.2
写入速度,GB/s
8.5
13.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3277
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
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