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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
50
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
50
读取速度,GB/s
13.9
17.2
写入速度,GB/s
8.5
13.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3277
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
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