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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
差异
规格
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差异
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
41
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
27
读取速度,GB/s
13.9
18.6
写入速度,GB/s
8.5
15.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3561
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
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