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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
39
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
32
读取速度,GB/s
11.7
18.3
写入速度,GB/s
7.2
12.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
2858
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
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