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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
39
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
32
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
12.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
2858
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
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