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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
差异
规格
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差异
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
41
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
33
读取速度,GB/s
13.9
15.7
写入速度,GB/s
8.5
12.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3062
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
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