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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
差异
规格
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
28
读取速度,GB/s
13.9
16.4
写入速度,GB/s
8.5
11.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3036
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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