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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
差异
规格
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差异
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
41
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
29
读取速度,GB/s
13.9
17.2
写入速度,GB/s
8.5
13.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3294
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
UMAX Technology 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
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