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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
41
左右 -95% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
21
读取速度,GB/s
13.9
18.6
写入速度,GB/s
8.5
14.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3062
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
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