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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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需要考虑的原因
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
41
左右 -71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
24
读取速度,GB/s
13.9
15.7
写入速度,GB/s
8.5
12.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
2865
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB RAM的比较
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Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
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