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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
41
左右 -32% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
31
读取速度,GB/s
13.9
11.7
写入速度,GB/s
8.5
6.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
1763
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
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