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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
比较
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
55
左右 -53% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
55
36
读取速度,GB/s
15.8
15.0
写入速度,GB/s
13.8
10.1
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2701
2657
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
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