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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Comparar
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
55
Por volta de -53% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
55
36
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
13.8
10.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2701
2657
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
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