RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Comparez
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Note globale
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Note globale
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
55
Autour de -53% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
55
36
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
13.8
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2701
2657
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Mushkin 996902 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link