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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
63
左右 35% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
63
读取速度,GB/s
13.9
17.0
写入速度,GB/s
8.5
8.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
2061
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
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Kingston KF552C40-16 16GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
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