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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
41
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
32
读取速度,GB/s
13.9
16.2
写入速度,GB/s
8.5
10.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
2751
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
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