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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
39
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
27
读取速度,GB/s
14.6
19.1
写入速度,GB/s
8.8
15.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
4053
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
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