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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
比较
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB vs Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
总分
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.6
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
23400
17000
左右 1.38 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
18.6
18.6
写入速度,GB/s
16.6
14.4
内存带宽,mbps
17000
23400
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
3938
3491
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
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