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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Kingston 9965589-008.D02G 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
39
左右 -8% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
36
读取速度,GB/s
14.6
9.7
写入速度,GB/s
8.8
7.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
1789
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
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