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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
6.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
39
左右 -56% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
25
读取速度,GB/s
14.6
13.0
写入速度,GB/s
8.8
6.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
1907
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
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