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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Kllisre DDR4-8GB 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Kllisre DDR4-8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
46
左右 15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre DDR4-8GB 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
46
读取速度,GB/s
14.6
11.4
写入速度,GB/s
8.8
8.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
2311
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
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