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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Kllisre DDR4-8GB 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Kllisre DDR4-8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
46
左右 15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre DDR4-8GB 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
46
读取速度,GB/s
14.6
11.4
写入速度,GB/s
8.8
8.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
2311
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
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