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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
42
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.2
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
42
读取速度,GB/s
14.6
12.7
写入速度,GB/s
8.8
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
2701
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
INTENSO 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
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