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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
39
左右 -22% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
32
读取速度,GB/s
14.6
11.8
写入速度,GB/s
8.8
13.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
2844
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB RAM的比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
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