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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
比较
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
总分
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
32
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
12.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
32
23
读取速度,GB/s
16.2
18.0
写入速度,GB/s
12.5
13.3
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3084
3070
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
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