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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
61
左右 36% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
14.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
61
读取速度,GB/s
14.6
17.6
写入速度,GB/s
8.8
8.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
2113
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
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Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
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