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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
38
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
22
读取速度,GB/s
14.1
17.4
写入速度,GB/s
8.7
12.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2228
3135
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
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