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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
38
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
29
读取速度,GB/s
14.1
15.8
写入速度,GB/s
8.7
12.2
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2228
2988
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
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