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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
总分
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
48
左右 21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
10.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
48
读取速度,GB/s
14.1
10.8
写入速度,GB/s
8.7
8.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2228
2431
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
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