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A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
比较
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
总分
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,285.0
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
68
左右 -119% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
31
读取速度,GB/s
4,165.3
17.9
写入速度,GB/s
2,285.0
14.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
784
3538
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
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