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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.7
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
38
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
14.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
23
读取速度,GB/s
14.1
14.7
写入速度,GB/s
8.7
6.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2228
2231
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
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Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
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