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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
比较
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
总分
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
总分
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
28
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
22
读取速度,GB/s
12.6
17.8
写入速度,GB/s
8.3
13.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
3036
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
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