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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
比较
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
总分
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
12.6
14.8
写入速度,GB/s
8.3
11.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
2652
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
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