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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
比较
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Super Talent F3200UA8G 8GB
总分
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
总分
Super Talent F3200UA8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
58
左右 52% 更低的延时
需要考虑的原因
Super Talent F3200UA8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.9
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
58
读取速度,GB/s
12.6
18.9
写入速度,GB/s
8.3
9.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
2250
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-030.D01G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
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