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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
比较
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB vs Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
总分
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
41
左右 -71% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
24
读取速度,GB/s
16.3
14.2
写入速度,GB/s
13.5
7.3
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3146
2124
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
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Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
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