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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
比较
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
总分
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
总分
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
72
左右 47% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
72
读取速度,GB/s
12.8
15.8
写入速度,GB/s
9.1
8.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2099
1951
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
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