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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
比较
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Kingston 9965600-018.A00G 16GB
总分
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
总分
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
14.2
10.4
写入速度,GB/s
8.1
8.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2307
2386
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
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Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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