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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
54
左右 -145% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
22
读取速度,GB/s
9.2
17.9
写入速度,GB/s
8.1
14.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3411
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
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Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
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Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
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