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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
比较
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
总分
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
总分
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
40
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
31
读取速度,GB/s
12.8
17.9
写入速度,GB/s
7.0
15.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2021
3755
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB RAM的比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
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