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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
比较
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
总分
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
40
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
30
读取速度,GB/s
12.8
17.6
写入速度,GB/s
7.0
15.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2021
3728
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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