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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
38
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
30
读取速度,GB/s
13.9
18.8
写入速度,GB/s
8.7
15.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
3649
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
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