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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
38
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
25
读取速度,GB/s
13.9
17.4
写入速度,GB/s
8.7
16.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
3908
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
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