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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
38
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
25
读取速度,GB/s
13.9
17.4
写入速度,GB/s
8.7
16.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
3908
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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
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