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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
38
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
29
读取速度,GB/s
13.9
17.8
写入速度,GB/s
8.7
15.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
3625
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
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