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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
差异
规格
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差异
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
38
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
33
读取速度,GB/s
13.9
15.9
写入速度,GB/s
8.7
10.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
2847
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
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