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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
44
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
41
44
读取速度,GB/s
13.3
13.0
写入速度,GB/s
9.0
8.2
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
2069
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
UMAX Technology 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
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